| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2052493 Herst.-Nr.: NTBG160N120SC1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19,5 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 225 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = NTB Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 19,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 225 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | NTB |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, smd diode, mosfet d2pak, 2052493, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTBG160N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |