| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2105019 Herst.-Nr.: SiSS78LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66,7 A Drain-Source-Spannung max. = 70 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0048 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 66,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 70 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8S | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0048 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 → 2.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 2105019, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiSS78LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |