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| Artikel-Nr.: 3794E-2139153 Herst.-Nr.: DMN10H220LFVW-7 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerDI3333-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,222 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = DMN10H220LFVW
Der MOSFET der DiodesZetex DBN10H220LFVW-Serie wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerDI3333-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,222 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | DMN10H220LFVW |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 11a mosfet, 2139153, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN10H220LFVW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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