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| Artikel-Nr.:
3794E-2144452 Herst.-Nr.:
IRF3805STRL-7PP EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 240 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0026 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen.Er ist bleifrei Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 240 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | D2PAK-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0026 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet d2pak, 2144452, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF3805STRL7PP, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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