| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2156649 Herst.-Nr.: IKB40N65EF5ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 74 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30 V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO263-3 | Pinanzahl: | 3 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2156649, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKB40N65EF5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |