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Infineon IPP80N06S2L07AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2172570
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPP80N06S2L07AKSA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7 mO
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
80 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
7 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 2172570, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP80N06S2L07AKSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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