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| Artikel-Nr.:
3794E-2172635 Herst.-Nr.:
IRL3705NSTRLPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 89 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 55-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.Planare Zellstruktur für eine breite SOA Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße) Kann wellengelötet werden Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 89 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet d2pak, 2172635, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRL3705NSTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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