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| Artikel-Nr.:
3794E-2195955 Herst.-Nr.:
BF776H6327XTSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 50 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 4 V
Gehäusegröße = SOT-343
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Der Infineon-NPN-Bipolar-HF-Hochleistungstransistor ist ein leistungsstarker rauscharmer Verstärker mit geringem Rauschpegel von typ. 0,8 dB bei 1,8 GHz. Es wird für eine Vielzahl von Nicht-Kfz-Anwendungen wie WLAN, WiMax, UWB, Bluetooth, GPS, SDARS-, DAB-, LNB-, UMTS/LTE- und ISM-Bänder.Einfach zu bedienendes Standardgehäuse mit sichtbaren Kabeln Bleifreies (RoHS-konformes) Gehäuse Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 50 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 4 V | Gehäusegröße: | SOT-343 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, transistor infineon, 2195955, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Infineon, BF776H6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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