Infineon OptiMOS 3 BSC061N08NS5ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 82 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 82 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0061 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = OptiMOS 3

Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. sync.rec. 100 % Lawinengeprüft Überlegener Wärmewiderstand N-Kanal QualifiedaccordingtoJEDEC1) für Zielanwendungen Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21