Infineon OptiMOS 5 IAUS240N08S5N019ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 240 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 240 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PG HSOG-8 (TOLG)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0019 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = OptiMOS 5

Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 75 V bis 100 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in verschiedenen Gehäusen, einem RDS(on)-Bereich von 1,2 m1x bis zu 190 MΩ durch die Reduzierung der CO2-Emissionen von Pkw, beschleunigt die 48-V-Platinennetzeinführung und damit die 48-V-ähnlichen Startergeneratoren (Hauptwechselrichter), Batterie Hauptschalter, DCDC-Wandler sowie 48-V-Hilfsbetriebe. Für diesen neuen Markt bietet Infineon ein breites Portfolio an Kfz-MOSFETs mit 80 V und 100 V, Die in verschiedenen Gehäusetypen wie TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) und S308 (TSDSON-8) untergebracht sind, um Lösungen für verschiedene Leistungsanforderungen sowie verschiedene Kühlkonzepte auf der Ebene der elektronischen Steuereinheit (ECU) zu bieten. Neben den 48-V-Anwendungen werden die 80-V- und 100-V-MOSFETs auch in LED-Beleuchtung, Kraftstoffeinspritzung sowie im Fahrzeug zum drahtlosen Laden eingesetzt.N-Kanal - Anreicherungstyp MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur Extrem niedriger RDS(on)