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| Artikel-Nr.: 3794E-2207366 Herst.-Nr.: IAUT200N08S5N023ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 200 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = HSOF-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0023 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = OptiMOS 5
Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 75 V bis 100 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in verschiedenen Gehäusen, einem RDS(on)-Bereich von 1,2 m1x bis zu 190 MΩ durch die Reduzierung der CO2-Emissionen von Pkw, beschleunigt die 48-V-Platinennetzeinführung und damit die 48-V-ähnlichen Startergeneratoren (Hauptwechselrichter), Batterie Hauptschalter, DCDC-Wandler sowie 48-V-Hilfsbetriebe. Für diesen neuen Markt bietet Infineon ein breites Portfolio an Kfz-MOSFETs mit 80 V und 100 V, Die in verschiedenen Gehäusetypen wie TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) und S308 (TSDSON-8) untergebracht sind, um Lösungen für verschiedene Leistungsanforderungen sowie verschiedene Kühlkonzepte auf der Ebene der elektronischen Steuereinheit (ECU) zu bieten. Neben den 48-V-Anwendungen werden die 80-V- und 100-V-MOSFETs auch in LED-Beleuchtung, Kraftstoffeinspritzung sowie im Fahrzeug zum drahtlosen Laden eingesetzt.N-Kanal - Anreicherungstyp MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur Extrem niedriger RDS(on) 100 % Lawinenprüfung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | HSOF-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0023 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | OptiMOS 5 |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet 200a, 2207366, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IAUT200N08S5N023ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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