Infineon CoolMOS P7 IPA60R120P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 78 A, 3-Pin TO-220 FP

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 78 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,12 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS P7

Der Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V Cool MOS P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der branchenführende RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Cool MOS Plattform der 7. Generation sorgen für seinen hohen Wirkungsgrad.600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2) Integrierter Torwiderstand RG Robuste Gehäusediode Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich Ausgezeichnete FOMs RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss ermöglichen eine höhere Effizienz Einfache Verwendung in Fertigungsumgebungen durch Stoppen von ESD-Ausfällen Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien geeignet Wie PFC und LLC Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode In LLC-Topologie Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und -ausgängen Leistung Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen