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| Artikel-Nr.: 3794E-2207393 Herst.-Nr.: IPB65R190CFDAATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 57,2 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolMOS P7
Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt Niedriger Gate-Ladewert Q g. Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise Bessere Effizienz bei geringer Last Geringere Schaltverluste Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich Hohe Qualität und Zuverlässigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 57,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,19 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet d2pak, 2207393, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB65R190CFDAATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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