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| Artikel-Nr.:
3794E-2207407 Herst.-Nr.:
IPD60R170CFD7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 51 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,17 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS
Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.Ultraschnelle Gehäusediode Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr) Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 51 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-252 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,17 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, smd-transistor to-252, smd diode, diode infineon, 2207407, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD60R170CFD7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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