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| Artikel-Nr.:
3794E-2207414 Herst.-Nr.:
IPD90N06S407ATMA2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0069 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = OptiMOS
Das Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 55 V bis 60 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen und RDS(on) von 1,5 mEx bis 160 MΩ. Die neue 60-V-Automobil-MOSFET-Familie mit OptiMOS5-Technologie bietet mehr Leistung und führende Leistung. OptiMOS 5 bietet reduzierte Leitungsverluste, die für Antriebe und Leistungswandlungsanwendungen optimiert sind. Die kleineren bleifreien Gehäuse SSO8 (5 x 6 mm2) und S3O8 (3 x 3 mm2) ermöglichen Platzersparnis um mehr als 50 % im Vergleich zur Fläche eines DPAK.N-Kanal - Anreicherungstyp MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur 100 % Lawinenprüfung Extrem niedriger RDSon Weltweit niedrigster RDS bei 60 V (ein) Höchste Strombelastbarkeit Niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit Optimierte Gesamtladefunktion ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 90 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-252 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0069 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | OptiMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, smd-transistor to-252, smd diode, diode infineon, 2207414, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD90N06S407ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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