Infineon C7 GOLD IPDD60R080G7XTMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 83 A, 10-Pin DDPAK

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 83 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DDPAK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 10
Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = C7 GOLD

Die Infineon Technologien führen das Double DPAK (DDPAK) ein, das erste SMD-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile der bereits vorhandenen 600-V-Cool-MOS-G7-Super Junction (SJ)-MOSFETs mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite bieten eine Systemlösung für Starkstrom-Schalt-Topologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.Bietet erstklassige FOM RDS(on) x Eoss und RDS(on) x Qg Innovatives Kühlkonzept auf der Oberseite Integrierte 4. Stift Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quelle Induktivität TCOB-Fähigkeit von >> 2.000 Zyklen, MSL1-konform und vollständig bleifrei Ermöglicht höchste Energieeffizienz Thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den E-Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards