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| Artikel-Nr.:
3794E-2207424 Herst.-Nr.:
IPG20N10S4L35AATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,035 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 16V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = OptiMOS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SuperSO8 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,035 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 16V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | OptiMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: PIN-Diode, SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet 20a, 2207424, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPG20N10S4L35AATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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