Infineon CoolMOS P7 IPL60R065P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 151 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = ThinkPAK 8 x 8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 30V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS P7

Der 600-V-MOSFET Cool MOS P7 Super Junction (SJ) von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-Cool-MOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der Plattform Cool MOS der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2) Integrierter Torwiderstand RG Robuste Gehäusediode Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich Ausgezeichnete FOMs RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss ermöglichen eine höhere Effizienz Einfache Verwendung in Fertigungsumgebungen durch Stoppen von ESD-Ausfällen Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien geeignet Wie PFC und LLC Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode In LLC-Topologie Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und -ausgängen Leistung Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen