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| Artikel-Nr.: 3794E-2207437 Herst.-Nr.: IPN60R600P7SATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = CoolMOS P7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,6 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet sot-223, 2207437, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPN60R600P7SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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