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Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2207488
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFHS8342TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,016 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = HEXFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
8,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
DFN2020
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,016 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
20V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: MOSFET-Transistor, PIN-Diode, SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, 2207488, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFHS8342TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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