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| Artikel-Nr.: 3794E-2207496 Herst.-Nr.: IRFR3709ZTRLPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0065 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 20V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Serie = HEXFET
Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.Branchenführende Qualität Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben Besonders niedrige Gate-Impedanz Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 86 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0065 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: MOSFET-Transistor, SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, d-pak diode, 2207496, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFR3709ZTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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