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| Artikel-Nr.:
3794E-2250556 Herst.-Nr.:
BSS123IXTSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 190 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = BSS123I Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 190 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Channel-Modus: | Depletion | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | BSS123I |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-223, 2250556, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS123IXTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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