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| Artikel-Nr.:
3794E-2266062 Herst.-Nr.:
IGB50N65S5ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 30V
Verlustleistung max. = 270 W
Konfiguration = Single
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C. Vierfacher Nennstrom Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 30V | Verlustleistung max.: | 270 W | Konfiguration: | Single | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2266062, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB50N65S5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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