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| Artikel-Nr.:
3794E-2266073 Herst.-Nr.:
IGD06N60TATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 12 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 88 W
Gehäusegröße = PG-TO252
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Die Infineon IGD06N60T ist eine sehr weiche, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode mit schneller Erholung und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er hat einen geringen Schaltverlust.Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.) Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Kurzschlussfestigkeit: 5 Mikrosekunde Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 12 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 88 W | Gehäusegröße: | PG-TO252 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2266073, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGD06N60TATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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