| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-2266099 Herst.-Nr.: IKD15N60RFATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon IKD03N60RF ist aufgrund des monolithisch integrierten IGBT und der Diode aufgrund des geringeren thermischen Schaltzyklus zuverlässiger. Er verfügt über eine glatte Schaltleistung, die zu einem niedrigen EMI-Pegel führt, und sein Betriebsbereich beträgt 4 bis 30 kHz.Sehr enge Parameter Verteilung Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Kurzschlussfestigkeit von 5 μs Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO252 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2266099, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD15N60RFATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |