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| Artikel-Nr.:
3794E-2282947 Herst.-Nr.:
SQD40052EL_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,006 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TrenchFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,006 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet dpak, 2282947, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQD40052EL_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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