|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2520263 Herst.-Nr.:
SIHK055N60EF-T1GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 10 x 12 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, vishay diode, smd diode, 40a mosfet, 2520263, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHK055N60EFT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |