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| Artikel-Nr.: 3794E-2587063 Herst.-Nr.: IKB10N60TATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = TO-263-3 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 110 W | Gehäusegröße: | TO-263-3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2587063, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKB10N60TATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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