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| Artikel-Nr.: 3794E-2592617 Herst.-Nr.: IPF016N10NF2SATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 274 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 274 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PG-TO263-7 | Montage-Typ: | SMD |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 2592617, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPF016N10NF2SATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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