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| Artikel-Nr.:
3794E-2688294 Herst.-Nr.:
SIHB6N80AE-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Gehäusegröße = TO-263
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 4 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Gehäusegröße: | TO-263 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 4 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-263, 2688294, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB6N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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