| |
|
| Artikel-Nr.: 8737-4139020 Herst.-Nr.: SIHB6N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826 ohmProduktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauer-Drainstrom Id: 5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 62.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHB6N80AE-GE3, 4139020, 413-9020 |
| | |
| |