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STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2735093
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGSB200M65DF2AG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 714 W
Gehäusegröße = ECOPACK
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = NPN
Pinanzahl = 9
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
200 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
714 W
Gehäusegröße:
ECOPACK
Montage-Typ:
SMD
Channel-Typ:
NPN
Pinanzahl:
9
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, stmicroelectronics transistor, 2735093, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGSB200M65DF2AG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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