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| Artikel-Nr.:
3794E-2737424 Herst.-Nr.:
IGB30N60H3ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 187 W
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 60 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | +/-20V | Verlustleistung max.: | 187 W | Gehäusegröße: | PG-TO263-3 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2737424, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB30N60H3ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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