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| Artikel-Nr.: 3794E-463616 Herst.-Nr.: BC817-16LT1G EAN/GTIN: 5059042521405 |
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| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 100 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 0.94 x 2.9 x 1.3mm
Hersteller-Teilenummern mit S- oder NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. Kleinsignal-NPN-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 45 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 0.94 x 2.9 x 1.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 463616, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BC81716LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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