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| Artikel-Nr.:
3794E-4865671 Herst.-Nr.:
STP36NF06L EAN/GTIN:
5059042331226 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 70 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -18 V, +18 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 13 nC bei 5 V
Höhe = 9.15mm
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 70 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -18 V, +18 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 13 nC bei 5 V | Höhe: | 9.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, feldeffekttransistor, mosfet 30a, 4865671, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP36NF06L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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