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Nexperia PBSS8110Z,135 SMD, NPN Transistor 100 V / 1 A 100 MHz, SOT-223 (SC-73) 4-Pin

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Nexperia PBSS8110Z,135 SMD, NPN Transistor 100 V / 1 A 100 MHz, SOT-223 (SC-73) 4-Pin

Artikel-Nr.:
3794E-5182107

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
PBSS8110Z,135

EAN/GTIN:
5059043898148

Suchbegriffe:

SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
transistor npn sot-223

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,4 W
Gleichstromverstärkung min. = 150
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1.7 x 6.7 x 3.7mm

NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.

Weitere Informationen:


Transistor-Typ:	NPN
DC Kollektorstrom max.:	1 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	100 V
Gehäusegröße:	SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ:	SMD
Verlustleistung max.:	1,4 W
Gleichstromverstärkung min.:	150
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:	120 V
Basis-Emitter Spannung max.:	5 V
Arbeitsfrequenz max.:	100 MHz
Pinanzahl:	4
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Abmessungen:	1.7 x 6.7 x 3.7mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, smd-transistor npn, 5182107, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS8110Z,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors

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