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Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin

Menge:

Packung

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-5406510

Hersteller:
Toshiba

Herst.-Nr.:
RN1104(F)

EAN/GTIN:
5059041962599

Suchbegriffe:

Digitaltransistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = ESM
Montage-Typ = SMD
Gleichstromverstärkung min. = 80
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 10 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Transistor mit integriertem Widerstand, Serie BRT, Toshiba. Integrierte Vorwiderstände, der Einsatz von weniger Teilen reduziert die Größe und spart Platz bei der Montage Großer Widerstands-Wertebereich macht dieses Produkt für diverse Anwendungen geeignet Ergänzung zu den Produkten von RN1101 / RN2101 bis RN1118 / RN2118 Anwendungen: Schalten, Frequenzumrichterschaltungen, Schnittstellenstromkreise, Treiberstromkreise SSM-Gehäuse

Weitere Informationen:


Transistor-Typ:	NPN
DC Kollektorstrom max.:	100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung:	50 V
Gehäusegröße:	ESM
Montage-Typ:	SMD
Gleichstromverstärkung min.:	80
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Basis-Emitter Spannung max.:	10 V
Pinanzahl:	3
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, transistor toshiba, 5406510, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Toshiba, RN1104(F), Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors

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