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Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220AB


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Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     3794E-5410014
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF640NPBF
EAN/GTIN:
     5059043899558
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 67 nC @ 10 V
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
18 A
Drain-Source-Spannung max.:
200 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
150 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
150 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
67 nC @ 10 V
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, 5410014, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF640NPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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