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INFINEON IRF640NPBF MOSFET, N-KANAL, 200V, 18A, TO-220


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-8648379
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF640NPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 18 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 150 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IRF640NPBF, 8648379, 864-8379
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