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| Artikel-Nr.: 3794E-5429945 Herst.-Nr.: IRFR224PBF EAN/GTIN: 5059040894839 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,8 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 2,5 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,1 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 14 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet dpak, 5429945, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFR224PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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