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| Artikel-Nr.:
3794E-6710845 Herst.-Nr.:
FDY300NZ EAN/GTIN:
5059042846126 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 625 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 0.78mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 600 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-523 (SC-89) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 240 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 625 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 0.78mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 6710845, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDY300NZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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