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| Artikel-Nr.: 3794E-6710914 Herst.-Nr.: FQB55N10TM EAN/GTIN: 5059042848144 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 3,75 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Transistor-Werkstoff = Si Serie = QFET
N-Kanal-MOSFET QFET®, über 31 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 55 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 26 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | QFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet d2pak, 6710914, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQB55N10TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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