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| Artikel-Nr.:
3794E-6875181 Herst.-Nr.:
STD1NK60T4 EAN/GTIN:
5059042984941 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.25V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 2.4mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.25V | Verlustleistung max.: | 30 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 2.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, stm mosfet, 6875181, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD1NK60T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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