|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-6887134 Herst.-Nr.:
IRFU3607PBF EAN/GTIN:
5059043244976 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 140 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 56 nC @ 10 V
Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 75 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 140 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 56 nC @ 10 V | Serie: | HEXFET |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 80a, 6887134, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFU3607PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |