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| Artikel-Nr.:
3794E-7103395 Herst.-Nr.:
SI9933CDY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040865921 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 58 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 2000 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Höhe = 1.55mm
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 58 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 2000 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Höhe: | 1.55mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 7103395, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI9933CDYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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