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Infineon HEXFET IRLML2030TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,7 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23


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Infineon HEXFET IRLML2030TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,7 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     3794E-7259353
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLML2030TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043877457
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFET-Relais
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
2,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
100 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.3V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.3V
Verlustleistung max.:
1,3 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
1.4mm
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-23, 7259353, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML2030TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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