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Infineon HEXFET IRLML6346TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23


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Infineon HEXFET IRLML6346TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     3794E-7377234
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLML6346TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043893723
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFET-Relais
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 2,9 nC @ 4,5 V
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
3,4 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
80 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.1V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.5V
Verlustleistung max.:
1,3 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
2,9 nC @ 4,5 V
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-23, 7377234, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML6346TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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