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| Artikel-Nr.: 3794E-7533166 Herst.-Nr.: SPB80P06PGATMA1 EAN/GTIN: 5059043800233 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Verlustleistung max. = 340 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Transistor-Werkstoff = Si Serie = SIPMOS
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs. Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.. · AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt) · Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 23 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 340 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | SIPMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, mosfet 80a, 7533166, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SPB80P06PGATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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