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| Artikel-Nr.:
3794E-7599699 Herst.-Nr.:
FDS89141 EAN/GTIN:
5059042728965 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 107 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 31 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 5,1 nC @ 10 V
Serie = PowerTrench
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 107 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 31 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 5,1 nC @ 10 V | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 7599699, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS89141, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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