|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7603126 Herst.-Nr.:
2SK209-Y(TE85L,F) EAN/GTIN:
5059045843771 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 1.2 to 3.0mA
Drain-Source-Spannung max. = 10 V
Gate-Source Spannung max. = -30 V
Drain-Gate-Spannung max. = -50V
Transistor-Konfiguration = Einfach
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-346 (SC-59)
Pinanzahl = 3
Abmessungen = 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-JFET, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | IDS Drain-Source-Abschaltstrom: | 1.2 to 3.0mA | Drain-Source-Spannung max.: | 10 V | Gate-Source Spannung max.: | -30 V | Drain-Gate-Spannung max.: | -50V | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOT-346 (SC-59) | Pinanzahl: | 3 | Abmessungen: | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, transistor toshiba, smd transistor, 7603126, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, JFET, Toshiba, 2SK209Y(TE85L,F), Semiconductors, Discrete Semiconductors, JFETs |
| | |
| |